如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
.jpg)
5 天之前 全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。 IM828XCC 是1200 V IPM中封装最小
.jpg)
3 天之前 Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 我们的专家了解如何
.jpg)
3 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 529
.jpg)
4 天之前 凭借丰富的市场经验，英飞凌能够提供业界领先的高可靠碳化硅性能。 碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。 在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。 英飞凌
.jpg)
4 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。 CoolSiC™ MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V电压等级，7 mΩ1000 mΩ导通电阻范围的产品。 CoolSiC™沟槽技术可实现
.jpg)
3 天之前 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力 扩展存储温度低至 T(stg) = 55°C 封装的 CTI > 600 封装增强绝缘，耐受 102kV 交流电 1 高爬电距离和电气间隙
.jpg)
2 天之前 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管，工作电压最高达到1 kV（SiC：2 kV），具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、DCDC转换器、电机控制器、射频应用、交通出行技术和汽车电子等广泛应用中占据核心地位。 英飞凌拥有广博且
.jpg)
4 天之前 IMZA120R007M1H是采用TO2474封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
.jpg)
6 天之前 基于碳化硅（SiC）的 CoolSiC™ 肖特基二极管在高电压、高温应用中表现出色，其开关损耗与温度、开关速度或负载电流无关。 英飞凌还提供具有低 VF 和抗强 EMI 的 600 V 和 1200 V 超软二极管，以及适用于 18100 kHz 开关频率应用的 650 V 快速二极管。
.jpg)
4 天之前 与HighSpeed 3 IGBT相结合的1200V CoolSiC™肖特基二极管可实现更为简单的二电平拓扑结构 它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。 此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出
.jpg)
5 天之前 全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。 IM828XCC 是1200 V IPM中封装最小
.jpg)
3 天之前 Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 我们的专家了解如何
.jpg)
3 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 529
.jpg)
4 天之前 凭借丰富的市场经验，英飞凌能够提供业界领先的高可靠碳化硅性能。 碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。 在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。 英飞凌
.jpg)
4 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。 CoolSiC™ MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V电压等级，7 mΩ1000 mΩ导通电阻范围的产品。 CoolSiC™沟槽技术可实现
.jpg)
3 天之前 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力 扩展存储温度低至 T(stg) = 55°C 封装的 CTI > 600 封装增强绝缘，耐受 102kV 交流电 1 高爬电距离和电气间隙
.jpg)
2 天之前 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管，工作电压最高达到1 kV（SiC：2 kV），具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、DCDC转换器、电机控制器、射频应用、交通出行技术和汽车电子等广泛应用中占据核心地位。 英飞凌拥有广博且
.jpg)
4 天之前 IMZA120R007M1H是采用TO2474封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
.jpg)
6 天之前 基于碳化硅（SiC）的 CoolSiC™ 肖特基二极管在高电压、高温应用中表现出色，其开关损耗与温度、开关速度或负载电流无关。 英飞凌还提供具有低 VF 和抗强 EMI 的 600 V 和 1200 V 超软二极管，以及适用于 18100 kHz 开关频率应用的 650 V 快速二极管。
.jpg)
4 天之前 与HighSpeed 3 IGBT相结合的1200V CoolSiC™肖特基二极管可实现更为简单的二电平拓扑结构 它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。 此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出
.jpg)
5 天之前 全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。 IM828XCC 是1200 V IPM中封装最小
.jpg)
3 天之前 Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 我们的专家了解如何
.jpg)
3 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 529
.jpg)
4 天之前 凭借丰富的市场经验，英飞凌能够提供业界领先的高可靠碳化硅性能。 碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。 在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。 英飞凌
.jpg)
4 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。 CoolSiC™ MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V电压等级，7 mΩ1000 mΩ导通电阻范围的产品。 CoolSiC™沟槽技术可实现
.jpg)
3 天之前 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力 扩展存储温度低至 T(stg) = 55°C 封装的 CTI > 600 封装增强绝缘，耐受 102kV 交流电 1 高爬电距离和电气间隙
.jpg)
2 天之前 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管，工作电压最高达到1 kV（SiC：2 kV），具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、DCDC转换器、电机控制器、射频应用、交通出行技术和汽车电子等广泛应用中占据核心地位。 英飞凌拥有广博且
.jpg)
4 天之前 IMZA120R007M1H是采用TO2474封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
.jpg)
6 天之前 基于碳化硅（SiC）的 CoolSiC™ 肖特基二极管在高电压、高温应用中表现出色，其开关损耗与温度、开关速度或负载电流无关。 英飞凌还提供具有低 VF 和抗强 EMI 的 600 V 和 1200 V 超软二极管，以及适用于 18100 kHz 开关频率应用的 650 V 快速二极管。
.jpg)
4 天之前 与HighSpeed 3 IGBT相结合的1200V CoolSiC™肖特基二极管可实现更为简单的二电平拓扑结构 它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。 此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出
.jpg)
5 天之前 全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。 IM828XCC 是1200 V IPM中封装最小
.jpg)
3 天之前 Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 我们的专家了解如何
.jpg)
3 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 529
.jpg)
4 天之前 凭借丰富的市场经验，英飞凌能够提供业界领先的高可靠碳化硅性能。 碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。 在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。 英飞凌
.jpg)
4 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。 CoolSiC™ MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V电压等级，7 mΩ1000 mΩ导通电阻范围的产品。 CoolSiC™沟槽技术可实现
3 天之前 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力 扩展存储温度低至 T(stg) = 55°C 封装的 CTI > 600 封装增强绝缘，耐受 102kV 交流电 1 高爬电距离和电气间隙
.jpg)
2 天之前 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管，工作电压最高达到1 kV（SiC：2 kV），具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、DCDC转换器、电机控制器、射频应用、交通出行技术和汽车电子等广泛应用中占据核心地位。 英飞凌拥有广博且
.jpg)
4 天之前 IMZA120R007M1H是采用TO2474封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
.jpg)
6 天之前 基于碳化硅（SiC）的 CoolSiC™ 肖特基二极管在高电压、高温应用中表现出色，其开关损耗与温度、开关速度或负载电流无关。 英飞凌还提供具有低 VF 和抗强 EMI 的 600 V 和 1200 V 超软二极管，以及适用于 18100 kHz 开关频率应用的 650 V 快速二极管。
4 天之前 与HighSpeed 3 IGBT相结合的1200V CoolSiC™肖特基二极管可实现更为简单的二电平拓扑结构 它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。 此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出
.jpg)
5 天之前 全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。 IM828XCC 是1200 V IPM中封装最小
.jpg)
3 天之前 Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 我们的专家了解如何
.jpg)
3 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 529
.jpg)
4 天之前 凭借丰富的市场经验，英飞凌能够提供业界领先的高可靠碳化硅性能。 碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。 在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。 英飞凌
.jpg)
4 天之前 英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。 CoolSiC™ MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V电压等级，7 mΩ1000 mΩ导通电阻范围的产品。 CoolSiC™沟槽技术可实现
3 天之前 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力 扩展存储温度低至 T(stg) = 55°C 封装的 CTI > 600 封装增强绝缘，耐受 102kV 交流电 1 高爬电距离和电气间隙
.jpg)
2 天之前 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管，工作电压最高达到1 kV（SiC：2 kV），具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、DCDC转换器、电机控制器、射频应用、交通出行技术和汽车电子等广泛应用中占据核心地位。 英飞凌拥有广博且
4 天之前 IMZA120R007M1H是采用TO2474封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
.jpg)
6 天之前 基于碳化硅（SiC）的 CoolSiC™ 肖特基二极管在高电压、高温应用中表现出色，其开关损耗与温度、开关速度或负载电流无关。 英飞凌还提供具有低 VF 和抗强 EMI 的 600 V 和 1200 V 超软二极管，以及适用于 18100 kHz 开关频率应用的 650 V 快速二极管。
.jpg)
4 天之前 与HighSpeed 3 IGBT相结合的1200V CoolSiC™肖特基二极管可实现更为简单的二电平拓扑结构 它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。 此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出
