如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2024年2月18日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低
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3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 【1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。 半导体器件要是高性能、低能耗的，就能驱动半导体材料换四次。 半导体材料属于
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2024年2月1日 因此,有必要开发更适用于SiC材料的晶体加工新方法,其中激光剥离技术备受看好。激光切割也称为热裂法,这项技术的核心是激光加工和晶体剥离,根据激光的加工方式可以分为激光烧蚀和激光改质,后者还可以分为平行改质和垂直改质。
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将发挥
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2023年5月21日 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。 其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 事实上
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2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。 整个流程所涉及的设备多达数十种。 其中，衬底片制备流程所需设备及代表厂商如下： 03 长晶炉：基本完成国产设备替代 晶体生长所需的温度在2,000℃
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2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。
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2023年9月22日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温下进行，可以最大限度地减少离子轰击对晶格的破坏。 对于4HSiC晶圆，制作N型区域通常选用注入氮和磷离子实现，制作P型区域通常选用注入铝离子和硼离子实现。 为达到离子注入区域
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2023年4月25日 SiC产业环节及关键装备 11 SiC产业链环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。 SiC外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进行外延层的制备，采用外延层厚度作为产品的不同系列供
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2024年4月19日 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 所属领域 新材料（第三代半导体材料加工设备） 项目介绍 1 痛点问题 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。 将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶
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2024年2月18日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低
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3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 【1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。 半导体器件要是高性能、低能耗的，就能驱动半导体材料换四次。 半导体材料属于
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2024年2月1日 因此,有必要开发更适用于SiC材料的晶体加工新方法,其中激光剥离技术备受看好。激光切割也称为热裂法,这项技术的核心是激光加工和晶体剥离,根据激光的加工方式可以分为激光烧蚀和激光改质,后者还可以分为平行改质和垂直改质。
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将发挥
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2023年5月21日 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。 其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 事实上
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2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。 整个流程所涉及的设备多达数十种。 其中，衬底片制备流程所需设备及代表厂商如下： 03 长晶炉：基本完成国产设备替代 晶体生长所需的温度在2,000℃
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2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。
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2023年9月22日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温下进行，可以最大限度地减少离子轰击对晶格的破坏。 对于4HSiC晶圆，制作N型区域通常选用注入氮和磷离子实现，制作P型区域通常选用注入铝离子和硼离子实现。 为达到离子注入区域
2023年4月25日 SiC产业环节及关键装备 11 SiC产业链环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。 SiC外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进行外延层的制备，采用外延层厚度作为产品的不同系列供
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2024年4月19日 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 所属领域 新材料（第三代半导体材料加工设备） 项目介绍 1 痛点问题 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。 将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶
2024年2月18日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低
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3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 【1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。 半导体器件要是高性能、低能耗的，就能驱动半导体材料换四次。 半导体材料属于
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2024年2月1日 因此,有必要开发更适用于SiC材料的晶体加工新方法,其中激光剥离技术备受看好。激光切割也称为热裂法,这项技术的核心是激光加工和晶体剥离,根据激光的加工方式可以分为激光烧蚀和激光改质,后者还可以分为平行改质和垂直改质。
2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将发挥
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2023年5月21日 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。 其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 事实上
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2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。 整个流程所涉及的设备多达数十种。 其中，衬底片制备流程所需设备及代表厂商如下： 03 长晶炉：基本完成国产设备替代 晶体生长所需的温度在2,000℃
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2023年9月22日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温下进行，可以最大限度地减少离子轰击对晶格的破坏。 对于4HSiC晶圆，制作N型区域通常选用注入氮和磷离子实现，制作P型区域通常选用注入铝离子和硼离子实现。 为达到离子注入区域
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2023年4月25日 SiC产业环节及关键装备 11 SiC产业链环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。 SiC外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进行外延层的制备，采用外延层厚度作为产品的不同系列供
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2024年4月19日 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 所属领域 新材料（第三代半导体材料加工设备） 项目介绍 1 痛点问题 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。 将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶
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2024年2月18日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低
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3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 【1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。 半导体器件要是高性能、低能耗的，就能驱动半导体材料换四次。 半导体材料属于
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2024年2月1日 因此,有必要开发更适用于SiC材料的晶体加工新方法,其中激光剥离技术备受看好。激光切割也称为热裂法,这项技术的核心是激光加工和晶体剥离,根据激光的加工方式可以分为激光烧蚀和激光改质,后者还可以分为平行改质和垂直改质。
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2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将发挥
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2023年5月21日 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。 其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 事实上
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2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。
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2023年9月22日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温下进行，可以最大限度地减少离子轰击对晶格的破坏。 对于4HSiC晶圆，制作N型区域通常选用注入氮和磷离子实现，制作P型区域通常选用注入铝离子和硼离子实现。 为达到离子注入区域
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2023年4月25日 SiC产业环节及关键装备 11 SiC产业链环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。 SiC外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进行外延层的制备，采用外延层厚度作为产品的不同系列供
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2024年2月18日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低
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3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 【1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。 半导体器件要是高性能、低能耗的，就能驱动半导体材料换四次。 半导体材料属于
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2024年2月1日 因此,有必要开发更适用于SiC材料的晶体加工新方法,其中激光剥离技术备受看好。激光切割也称为热裂法,这项技术的核心是激光加工和晶体剥离,根据激光的加工方式可以分为激光烧蚀和激光改质,后者还可以分为平行改质和垂直改质。
2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将发挥
2023年5月21日 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。 其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 事实上
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2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。
2023年9月22日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温下进行，可以最大限度地减少离子轰击对晶格的破坏。 对于4HSiC晶圆，制作N型区域通常选用注入氮和磷离子实现，制作P型区域通常选用注入铝离子和硼离子实现。 为达到离子注入区域
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2024年4月19日 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 所属领域 新材料（第三代半导体材料加工设备） 项目介绍 1 痛点问题 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。 将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶
